傳統(tǒng)上在高壓功率晶體的設(shè)計(jì)中，采用硅材料的功率晶體要達(dá)到低通態(tài)電阻，必須采用超級(jí)結(jié)技術(shù)（superjunction），利用電荷補(bǔ)償?shù)姆绞绞估诰樱‥pitaxial layer）內(nèi)的垂直電場分布均勻，有效減少磊晶層厚度及其造成的通態(tài)電阻。
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時(shí)間：2024-02-01 16:23:45 作者：小編 點(diǎn)擊：次
傳統(tǒng)上在高壓功率晶體的設(shè)計(jì)中，采用硅材料的功率晶體要達(dá)到低通態(tài)電阻，必須采用超級(jí)結(jié)技術(shù)（superjunction），利用電荷補(bǔ)償?shù)姆绞绞估诰樱‥pitaxial layer）內(nèi)的垂直電場分布均勻，有效減少磊晶層厚度及其造成的通態(tài)電阻。
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