消費電子行業(yè)日益擔(dān)心浮柵NVM（非易失性內(nèi)存）不能繼續(xù)以每比特更低成本來提供更高的存儲功能，而每比特更低成本則是驅(qū)動NVM市場發(fā)展的根本性要求。浮柵方法可能會“撞墻”，意味著替代技術(shù)的研究工作已經(jīng)變得日益關(guān)鍵。科學(xué)家們正在研究可以替代FG NAND技術(shù)的NVM備選方案，包括相變內(nèi)存(PCM/PRAM)、電荷俘獲內(nèi)存(CTF/SONOS)、電阻內(nèi)存(ReRAM)、鐵電內(nèi)存(FeRAM)和磁阻內(nèi)存(MRAM) 等。

理想的內(nèi)存應(yīng)兼具動態(tài)內(nèi)存和非易失性內(nèi)存的特點：成本越來越低，密度越來越高；快速讀/寫，類似于或快于現(xiàn)有的DRAM速度；耐久性高，以滿足DRAM或SSF應(yīng)用；保留期長；功率和電壓要求低；兼容現(xiàn)在的邏輯電路和半導(dǎo)體工藝。

幾種非易失性內(nèi)存器件。

NVM測試要求發(fā)生改變，對測試方案提出新的要求。

電氣表征在傳統(tǒng)上是使用DC儀器執(zhí)行的，如源測試單元SMU儀器，表征之前脈沖發(fā)生器已經(jīng)編輯和/或擦除內(nèi)容單元。其缺點是，這要求某類開關(guān)，對測試器件交替應(yīng)用DC或脈沖信號。另一種方法是偶爾會使用示波器，閃存狀態(tài)對脈沖電壓電平相當(dāng)敏感，在被測器件DUT上檢驗脈沖保真度（脈沖寬度、過沖、脈沖電壓電平、上升時間、下降時間）。其缺點是測量瞬態(tài)電流的復(fù)雜性，意味著只能在脈沖傳送時才能獲得電壓測量。

后來傳統(tǒng)一體化表征方案有了很大改進，使用定制系統(tǒng)同時測量電流和電壓，測量方法一般使用負載或傳感電阻器，使用示波器或模數(shù)轉(zhuǎn)換器測量電流。但這也存在其缺點，一般創(chuàng)造性不強，測試功能有限，測試控制麻煩，要求耗費大量時間提取信息；以及負載電阻器對傳送到器件的電壓的影響，對許多脈沖測量會產(chǎn)生明顯負作用。

業(yè)內(nèi)目前正在考察許多NVM材料和技術(shù)，每種材料和技術(shù)在物理內(nèi)存特點方面都有著獨特之處。但是，對這些方法進行整體電氣表征時，很多重要的測試參數(shù)和方法都是相同的。這種共性意味著可以使用一臺測試儀